マイクロ波プラズマ基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322753
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133298
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】処理容器にマイクロ波窓を介してマイクロ波アンテナを係合させ、励起された高密度マイクロ波プラズマにより被処理基板を処理するマイクロ波プラズマ基板処理装置において、基板のプラズマ処理速度を向上させる。【解決手段】処理容器内に形成され、高密度プラズマによるプラズマ処理が行われる処理空間の内壁を、弗化アルミニウムあるいは石英ライナで覆う。またマイクロ波窓として石英窓を使う。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理が行われる処理空間を画成する処理容器と、前記処理空間内に設けられ、被処理基板を保持する基板保持台と、前記処理容器と前記基板保持台との間に、前記基板保持台を囲むように形成された排気通路と、前記処理容器に結合され、前記排気通路を介して前記処理空間を排気する排気系と、処理ガスを前記処理空間に導入する処理ガス供給系と、前記保持台上の被処理基板に対面するように設けられ、誘電体材料よりなり、前記被処理基板に実質的に平行に延在し、前記処理容器外壁の一部を構成するマイクロ波窓と、前記マイクロ波窓に結合されたマイクロ波アンテナとよりなるマイクロ波プラズマ基板処理装置において、前記処理空間の少なくとも一部が絶縁層により覆われていることを特徴とするマイクロ波プラズマ基板処理装置。

Fターム (9件)：

5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AD09 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EC05 , 5F045EH03

引用特許：

出願人引用 (10件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141732 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-065699 出願人：株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社
半導体気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-088559 出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社

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審査官引用 (10件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141732 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-114038
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-357592 出願人：東京エレクトロン株式会社, 八坂保能, 安藤真

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