特許

J-GLOBAL ID：200903097431322977

単結晶引上げ装置用超電導磁石

発明者： 佐々木 高士 ,  小口 義広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 猪股 祥晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302966
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139599
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】ボア寸法,磁場中心および横磁場と縦磁場を容易に変えることができ、ヘルムホルツ型とカスプ型のいずれかを選択でき、設置スペースを小さくすることができる超電導磁石を提供する。【解決手段】半導体用単結晶材料をるつぼ中で融解させ、るつぼを内蔵した引上げ炉の外部から超電導磁石による磁場を印加して単結晶を引上げる単結晶引上げ装置用の超電導磁石を、相互に向き合い液体冷媒中に浸漬した二個の超電導コイル26a,26bをそれぞれ別にクライオスタット25a,25bに内蔵し、それぞれの超電導コイル26a,26bが発生する磁場の方向が引上げ炉の引上げ方向に対して横方向であり、それぞれのクライオスタット25a,25b間の設置スペースをサポート27により調整自在に支持できるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体用単結晶材料をるつぼ内で融解させ、前記るつぼを内蔵した引上げ炉の外部に超電導磁石を配設し、この超電導磁石による磁場を印加して前記融解した単結晶材料から単結晶を引上げる単結晶引上げ装置用超電導磁石において、前記超電導磁石は相互に向き合い液体冷媒中に浸漬した二個の超電導コイルをそれぞれ別々のクライオスタットに内蔵し、前記それぞれの超電導コイルが発生する磁場の方向が前記引上げ炉の引上げ方向に対して横方向であり、かつ前記それぞれのクライオスタット間の設置スペースを調整自在に支持してなることを特徴とする単結晶引上げ装置用超電導磁石。

IPC (2件)：

C30B 30/04 ZAA ,  H01F 6/00 ZAA

FI (2件)：

C30B 30/04 ZAA ,  H01F 7/22 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-051690
  
• 特開昭61-222984
  
• 単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-138133   出願人：三菱電機株式会社