半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128959
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326952
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】この発明は、集積度を向上でき、かつ更なる高性能化を達成できる構造を有する半導体装置を提供しようとするものである。【構成】 P型のシリコン基板(1 )内に形成されたN型の拡散層(3 )と、基板(1)上に形成された絶縁膜(4 )と、この絶縁膜(4 )上に形成されたゲ-ト電極(5 )と、このゲ-ト電極(5 )上に形成された絶縁膜(7 )と、絶縁膜(7 )、ゲ-ト電極(5 )および絶縁膜(4 )をそれぞれ貫通し拡散層(3 )に達するスル-ホ-ル(9 )と、このスル-ホ-ル(9 )内に、ゲ-ト電極(5 )と絶縁されて形成されたチャネル領域(11)と、このチャネル領域(11)の露出面内に形成されたドレイン電極(12)とを持つ。この構成によれば、チャネルの四方がゲ-ト電極(5 )により囲まれるので、ゲ-ト電圧による電流の制御能力が高まる。また、素子が基板(1 )の主面に対して垂直な方向に形成されるので、平面的な素子のサイズを縮小でき、集積度の向上が図られる。

請求項（抜粋）：

半導体基体と、前記基体内に形成された第1導電型の第1の半導体領域と、前記基体上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された導電膜と、前記導電膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜、前記導電膜および前記第2の絶縁膜をそれぞれ貫通して形成された前記第1の半導体領域に達する開孔部と、前記開孔部内に形成された所望の導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の露出面内に形成された第1導電型の第3の半導体領域と、を具備し、前記第2の半導体領域内を前記基体の一主面に対して垂直に移動するキャリアの流量を前記導電膜に印加される電圧によって制御することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 102 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-045058
特開平2-186676
特開昭61-269377

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