特許
J-GLOBAL ID:200903097450907382
基板処理装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福島 祥人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-097115
公開番号(公開出願番号):特開平11-297589
出願日: 1998年04月09日
公開日(公表日): 1999年10月29日
要約:
【要約】【課題】 処理液の吐出量を正確に設定することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】 吐出ポンプ6はポンプ駆動モータ7により駆動され、レジストノズル4にレジスト液を供給して吐出させる。ポンプ駆動モータ7は制御部13の制御に基づきモータコントローラ12により駆動される。制御部13はレシピデータおよびサブライブラリを有する。サブライブラリにはポンプ駆動モータ7の駆動パターン、加減速時間、レジストノズル4からのレジスト液の吐出速度および吐出量が入力され、レシピデータにはレジストノズル4の吐出時間等の制御情報が入力部12より入力されて格納される。また、レシピデータおよびサブライブラリの各制御情報は入力部12から変更することができる。
請求項(抜粋):
処理液供給源から導かれる処理液を基板に供給して所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板に処理液を吐出するノズルと、前記処理液供給源の処理液を前記ノズルへ送り出すポンプと、前記ポンプを駆動するモータと、前記ノズルからの処理液の吐出動作を制御する制御情報を入力する入力手段と、前記入力手段により入力された前記制御情報に基づいて前記モータの動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/027
, B05C 11/08
, B05C 11/10
, B05D 1/40
, G03F 7/16 502
FI (5件):
H01L 21/30 564 C
, B05C 11/08
, B05C 11/10
, B05D 1/40 A
, G03F 7/16 502
引用特許:
審査官引用 (27件)
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塗布膜形成方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-079862
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-004394
出願人:山形日本電気株式会社
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特開平3-019317
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特開平3-278518
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特開平2-131237
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特開平3-278518
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レジスト吐出方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-017762
出願人:東京エレクトロン株式会社
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特開平2-131237
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特開昭62-250968
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レジスト塗布装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-276359
出願人:株式会社コガネイ
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特開昭63-319078
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特開昭62-250968
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特開昭63-319078
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特開平3-019317
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特開平3-278518
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特開平2-131237
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特開昭62-250968
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特開昭63-319078
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特開平3-019317
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特開平3-278518
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特開平2-131237
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特開昭62-250968
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特開昭63-319078
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特開平3-278518
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特開平2-131237
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特開昭62-250968
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特開昭63-319078
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