特許

J-GLOBAL ID：200903097452509350

ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法

発明者： ジェニファー ワイ サン ,  レングアン デュアン ,  ジエ ユアン ,  リー スー ,  ケネス エス コリンズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-099381
公開番号（公開出願番号）：特開2008-273823
出願日： 2008年04月07日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも2つの相又は3つの相を有する多相のセラミックを含む。第1の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約50モル%〜約75モル%の酸化イットリウム、モル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの他の成分から形成されている。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品であって、少なくとも2つの相を有するセラミックを含み、前記セラミックが、モル濃度が約50モル%〜約75モル%の酸化イットリウム、モル濃度が約10モル%〜約30モル%の酸化ジルコニウム、並びに酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの他の成分から形成されていて、前記少なくとも1つの他の成分の濃度が、約10モル%〜約30モル%であるセラミック物品。

IPC (3件)：

C04B 35/50 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C04B35/50 ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/205

Fターム (18件)：

4K030FA01 ,  4K030KA46 ,  5F004AA06 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045EC05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• イットリア質耐火物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077307   出願人：株式会社ヨータイ
• 耐プラズマ性部材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036819   出願人：東芝セラミックス株式会社, 株式会社東芝