特許
J-GLOBAL ID：200903097453932558
有機EL装置の製造方法及び有機EL装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-259193
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073338
出願日： 2005年09月07日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】発光領域と第1端子部及び第2端子部を含む有機EL装置を容易に製造することができる方法を提供することを課題とする。【解決手段】まず、透明電極層6が形成された透明基板5を準備し、この透明電極層6上に発光領域Rと第1端子部3を除き且つ第2端子部4を含む第1のパターンの絶縁層10を形成する。次に、透明電極層6及び絶縁層9の表面全体に有機層7を形成し、この有機層7の上に発光領域Rと第2端子部4とを含み且つ第1端子部3を除く第2のパターンの反射電極層8を形成した後、露出している有機層7をドライエッチングにより除去して第1端子部3の透明電極層6を露出させる。最後に、このような透明基板5上に発光領域Rを含み且つ第1端子部3及び第2端子部4を除く第3のパターンの封止膜11を形成することにより、第1端子部3及び第2端子部4のみを露出させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
発光領域と第1端子部及び第2端子部とを有する有機EL装置の製造方法において、
第1電極層が形成された基板を準備し、
前記第2端子部を含み且つ前記発光領域と前記第1端子部を除く第1のパターンの絶縁層を前記第1電極層の上に形成し、
前記第1電極層と前記絶縁層が形成された側の前記基板の全面にわたって有機層を形成し、
前記発光領域と前記第2端子部を含み且つ前記第1端子部を除く第2のパターンの第2電極層を前記有機層の上に形成し、
前記第2電極層が形成されていない領域の前記有機層を除去して前記第1端子部の前記第1電極層を露出させ、
前記発光領域を含み且つ前記第1端子部と前記第2端子部を除く第3のパターンの封止膜を前記第2電極層の上に形成する
ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/06
, H05B 33/04
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/06
, H05B33/04
3K007AB18
, 3K007BB01
, 3K007CC05
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA02
出願人引用 (1件)
-
有機EL素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-207477
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
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