特許
J-GLOBAL ID:200903097479102626

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊丹 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-073226
公開番号(公開出願番号):特開2000-268590
出願日: 1999年03月18日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 データ消去時の非選択ワード線を零電位に設定して誤動作を防止するようにしたロウデコーダを持つ半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ、ワード線選択を行うロウデコーダ、ビット線選択を行うカラムデコーダ、読み出しデータをセンスし書き込みデータをラッチするセンスアンプ/データラッチを備え、ロウデコーダは、M本のワード線の中の一本を選択する機能を備えて、所定のワード線駆動電圧を供給するためのメインデコーダ21と、ブロックを選択する機能を備えて、ワード線駆動電圧をワード線駆動信号線に転送するめの第1の転送ゲート22と、ブロック内のN個のワード線ユニットを選択する機能を備えて、ワード線駆動信号線に転送された駆動電圧を選択されたワード線に転送するための第2の転送ゲート23とを有する。
請求項(抜粋):
ビット線とワード線により選択されるメモリセルが配列形成され、一つのブロックがM本ずつのワード線からなるN個のワード線ユニットにより構成される複数ブロックに分割されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイのワード線選択を行うロウデコーダと、前記メモリセルアレイのビット線選択を行うカラムデコーダと、前記メモリセルアレイの読み出しデータをセンスし書き込みデータをラッチするセンスアンプ/データラッチとを備え、前記ロウデコーダは、M本のワード線の中の一本を選択する機能を備えて、所定のワード線駆動電圧を供給するためのメインデコーダと、ブロックを選択する機能を備えて、前記ワード線駆動電圧をワード線駆動信号線に転送するための第1の転送ゲートと、ブロック内のN個のワード線ユニットを選択する機能を備えて、前記ワード線駆動信号線に転送された駆動電圧を選択されたワード線に転送するための第2の転送ゲートとを有することを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (8件):
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD00 ,  5B025AD02 ,  5B025AD03 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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