特許
J-GLOBAL ID：200903097492270490

結晶質半導体膜の製造方法およびアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者：
安松 拓人

安松 拓人 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-227670
公開番号（公開出願番号）：特開2009-060009
出願日： 2007年09月03日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】従来のLPS膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜(例えば、CGSシリコン膜)よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第1および第2主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第1主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第1領域と、遮光層と重なる第2領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第2主面側から半導体膜に光を照射し第1領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第1結晶領域を形成する工程と、その後に、第2領域の半導体膜を固相結晶化することによって第2結晶領域を形成する工程とを包含する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)互いに対向する第1および第2主面を有する透明な基板を用意する工程と、 (b)前記基板の第1主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、 (c)前記遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、前記遮光層と重ならない第1領域と、前記遮光層と重なる第2領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、 (d)前記第2主面側から前記半導体膜に光を照射し前記半導体膜の前記第1領域だけを選択的に結晶化することによって第1結晶領域を形成する工程と、 (e)前記工程(d)の後で、前記半導体膜の前記第2領域を固相結晶化することによって第2結晶領域を形成する工程と を包含する、結晶質半導体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30
FI (4件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  G09F9/30 338
Fターム (98件)：
5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HM07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152AA10 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CE35 ,  5F152CE36 ,  5F152CF18 ,  5F152CG10 ,  5F152CG13 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF28 ,  5F152FF29 ,  5F152FF30 ,  5F152FF35 ,  5F152FF36 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG08 ,  5F152FG13 ,  5F152FG14 ,  5F152FG18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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