特許

J-GLOBAL ID：200903097494391219

炭化ケイ素の気相結晶成長装置

発明者： 大野 俊之 ,  岩崎 貴之 ,  八尾 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036194
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】低欠陥、低不純物な炭化ケイ素単結晶を高効率にエピタキシャル成長させることを目的とした気相成長装置である。【解決手段】結晶成長基板を高周波誘導加熱する加熱手段を有する炭化ケイ素の気相結晶成長装置において、第1の反応管12の内側に遠赤外線および赤外線を遮蔽する第2の反応管21と、前記第2の反応管の内側に高周波誘導加熱により発熱する材料で構成された第3の反応管23と、前記第3の反応管の内側に前記結晶成長基板を設置する設置手段15を備えた炭化ケイ素の気相結晶成長装置。

請求項（抜粋）：

結晶成長基板を高周波誘導加熱する加熱手段を有する炭化ケイ素の気相結晶成長装置において、第1の反応管の内側に遠赤外線および赤外線を遮蔽する第2の反応管と、前記第2の反応管の内側に高周波誘導加熱により発熱する材料で構成された第3の反応管と、前記第3の反応管の内側に前記結晶成長基板を設置する設置手段を備えたことを特徴とする炭化ケイ素の気相結晶成長装置。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205