特許
J-GLOBAL ID：200903097507398668

半導体装置及びその製造方法

発明者：
大園 勝博

大園 勝博 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040798
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 宇宙環境下で使用されるLSIは、宇宙線によってリークが発生する。従来、この対策として高濃度ガードボロンP層やガードバンドP層を形成していたが、これらの形成は、多くの工程必要で、製造期間が長く、コスト高かった。また、特殊な構造のため、汎用品作製用のマスクデータを容易に流用することができなかった。【解決手段】 耐放射線性強化のための高濃度ガードボロンP層とガードバンドP層を削除する。高濃度ガードボロンP層の代わりに第2エネルギーボロン注入P層22を導入し、ガードバンドP層による抑止している部分に代えて、第1及び第2の高エネルギーボロン注入P層21,22のみで抑止効果が得られるようにする。
請求項（抜粋）：
NチャネルMOSトランジスタを含む半導体装置において、前記NチャネルMOSトランジスタが形成されるP型基板またはP型ウェルと当該P型基板またはP型ウェルの表面側に形成されるフィールド酸化膜との境界に、第1の高エネルギーでボロンを注入して形成した第1のP型領域を有し、かつ前記フィールド酸化膜の厚み方向中心付近に、前記第1の高エネルギーよりも低い第2の高エネルギーでボロンを注入して形成した第2のP型領域を有し、前記フィールド酸化膜と前記第1のP型領域と前記第2のP型領域とが、すべて前記NチャネルMOSトランジスタのソース/ドレインを形成するN型拡散層より離れていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/08 331 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 27/08 331 B ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/78 301 R
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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