特許

J-GLOBAL ID：200903097511610434

半導体装置の作製方法

発明者： 張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086304
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 基板101上の下地膜102上に選択的にニッケル膜を形成し、さらに非晶質珪素膜104を形成し、加熱により結晶化させる。さらに赤外光を照射してアニールを行うことによって、結晶性の優れた結晶性珪素膜を得る。そしてこの結晶性珪素膜を利用してTFTを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に非単結晶珪素膜を形成する工程と、前記非単結晶珪素膜を加熱によって結晶化させる工程と、該工程にひき続いて強光の照射によって結晶化を助長させる工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-078120
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-284831
  
• 特開昭63-211759