特許
J-GLOBAL ID：200903097521530277

メモリシステム

発明者：
中次 康人

中次 康人 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339224
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 特定の者を除いて第3者が容易にメモリへの書き込みができないメモリシステムを提供することである。【解決手段】 ハードウェア設定回路5は、入力端子4の電位が所定の状態になったときに書き込みモード信号WMを発生する。シーケンス認識手段12は、予め設定されたシーケンスを認識したときに書き込み許可信号SSを発生する。書き込み信号発生回路6Aは、ハードウェア設定回路5により信号WMが発生されかつシーケンス認識手段12により信号SSが発生されているときに、書き込み信号WSをフラッシュメモリ3に対して出力する。
請求項（抜粋）：
メモリと、所定の信号を受ける入力端子と、前記入力端子の信号が所定の状態にあるときに第1の信号を発生する第1の信号発生手段と、予め設定されたシーケンス情報が与えられたときに第2の信号を発生する第2の信号発生手段と、前記第1の信号発生手段から発生される第1の信号および第2の信号発生手段から発生される第2の信号に基づいて前記メモリへのデータの書き込みを制御する書き込み制御手段とを備えたことを特徴とするメモリシステム。
IPC (2件)：
G06F 12/14 310 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G06F 12/14 310 F ,  G11C 17/00 601 P
Fターム (7件)：
5B017AA02 ,  5B017BB03 ,  5B017BB09 ,  5B017CA11 ,  5B025AD04 ,  5B025AD14 ,  5B025AE10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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