半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105787
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318597
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の最上層部に素子の大部分を覆う導電性膜を1層もしくは多層構成し静電遮へいを施す事で外部雑音の影響を低減し、また平滑キャパシタを付加する事で内部雑音を低減し又電源配線として用いて、回路の高速動作に貢献する。【構成】図1(b)の基板1の最上層部に導電性膜7,第2導電性膜8を形成し電源側リードフレーム5,グランド側リードフレーム6に接続する事で、これらの導電性膜を電源平滑キャパシタ、静電遮へい板、電磁遮へい板として用いる。また、導電性膜から回路素子にコンタクトをとる事で、導電性膜は電源配線としても動作し、安定した電源供給を行うとともに外部雑音の内部回路への影響を低減す。又、図1(a)の様に導電性膜7を単層形成しても、静電遮へい、電磁遮へいの効果を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に所望の素子を形成し金属配線で電気回路を構成した半導体装置において、半導体装置の最上層部に素子の大部分をおおう導電性膜を1層もしくは多層構成し、この導電膜を一定電位に保持することにより、静電遮へい,電磁遮へい,又は電源平滑キャパシタ,電源配線、もしくはこれらの組合せとして用いる事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235792 出願人：日本電気株式会社
特開平4-179126
特開平3-008360

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