特許
J-GLOBAL ID:200903097532370310
マイクロチップ用プラスチック基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-382448
公開番号(公開出願番号):特開2003-183425
出願日: 2001年12月17日
公開日(公表日): 2003年07月03日
要約:
【要約】【課題】 飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有する製ノルボルネン樹脂のマイクロチップ用プラスチック基板に酸化処理を加えることによって増大する基板の蛍光を抑制した飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有するマイクロチップ用プラスチック基板を提供する。【解決手段】 基板に酸化処理(例えば酸素ガス低温プラズマ放電処理)を行なった直後に、基板に水分子を接触させ(例えば純水に浸漬)、ラジカル状態のな炭素原子に水酸基を導入する。その結果、基板表面の分子層のπ結合を有する炭素原子の割合はを酸化処理のみの状態よりも減少する。
請求項(抜粋):
飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有するプラスチック基板であって、基板の表面に水酸基が導入されていることを特徴とするマイクロチップ用プラスチック基板。
IPC (5件):
C08J 7/00 306
, C08J 7/00 CER
, C08F 8/00
, G01N 37/00 101
, C08L 45:00
FI (5件):
C08J 7/00 306
, C08J 7/00 CER
, C08F 8/00
, G01N 37/00 101
, C08L 45:00
Fターム (14件):
4F073AA14
, 4F073AA31
, 4F073BA06
, 4F073BB01
, 4F073BB09
, 4F073CA01
, 4F073DA01
, 4F073EA11
, 4J100AR11P
, 4J100BA03H
, 4J100CA31
, 4J100GC00
, 4J100HA01
, 4J100HA61
引用特許:
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