特許

J-GLOBAL ID：200903097537813422

シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置

発明者： 星野 鉄哉 ,  杉谷 初雄 ,  野部 茂 ,  山本 靖浩 ,  森嶋 浩之 ,  内村 俊一郎
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258033
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107022
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 流動性に優れ、平坦化効果が良好であり、かつ、クラックが入りにくく、酸化珪素膜やアルミニウム等の基板又は配線材料に対して優れた接着性及び耐熱性を有する膜を形成するためのシリコーン系材料組成物、このようなシリコーン系材料組成物用いて得られ、膜の均一性、平坦性に優れクラックのないシリカ系被膜及びこのようなシリカ系被膜をもちいた半導体装置を提供する。【解決手段】 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料を含有してなるシリコーン系材料組成物、このシリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布後、硬化させてなるシリカ系被膜及びこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

請求項（抜粋）：

熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料を含有してなるシリコーン系材料組成物。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H05K 3/28

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  H05K 3/28 A ,  H01L 21/95 ,  H01L 23/30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-097385   出願人：日立化成工業株式会社