特許
J-GLOBAL ID：200903097546190209

導電性金属酸化物焼結体およびその用途

発明者：
内海 健太郎

内海 健太郎 について

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伊藤 謙一

伊藤 謙一 について

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高畑 努

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出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308273
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129432
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【課題】 ITO薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをGa/(In+Sn+Ga)の比で0.1〜5.0原子%含有するITO焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをGa/(In+Sn+Ga)の比で0.1〜5.0原子%含有するITO薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムがGa/(In+Sn+Ga)の比で0.1〜5.0原子%の割合で添加されていることを特徴とする金属酸化物焼結体。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343
Fターム (13件)：
2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA09 ,  2H092MA10 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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