特許

J-GLOBAL ID：200903097548629399

サファイア基板および半導体素子ならびに電子部品および結晶成長方法

発明者： 松岡 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242271
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145700
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体などの窒化物材料を用い、例えば、InGaAlNを構成要素とし、電気的・光学的特性に優れ、寿命の長い窒化物半導体装置など、より特性の良い素子を得ることができるようにする。【解決手段】 サファイアM面オフ基板の表面(ヘテロエピタキシャル成長面)が、サファイア基板のc軸を回転軸として8°から20°回転された傾斜(傾斜角すなわちオフ角度は回転角に等しい)を有する場合、基板の傾斜した方向に基板上に結晶のステップが形成されている。このステップがM面ジャスト面上に発生する双晶の発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

ヘテロエピタキシャル成長面を有するサファイア基板において、前記へテロエピタキシャル成長面が、前記サファイア基板の(01-10)面を、前記サファイア基板の結晶格子内において、前記サファイア基板のc軸を回転軸として、8°から20°回転させてなる面に平行であることを特徴とするサファイア基板。

IPC (3件)：

C30B 29/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

C30B 29/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-014946   出願人：三洋電機株式会社