特許
J-GLOBAL ID：200903020054786790
半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216497
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 平坦な端面を有し、へき開により容易に素子分離が可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1のA面またはA面からc軸方向もしくはc軸と垂直な方向に0.03°〜20°傾斜した面上にGaN系半導体層20を成長させ、サファイア基板1をC面またはM面でへき開することにより、共振器面を形成する。サファイア基板1のM面またはM面からc軸方向もしくはc軸と垂直な方向に0.03°〜20°傾斜した面上にGaN系半導体層20を成長させ、サファイア基板1をC面またはA面でへき開することにより、共振器面を形成する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板の{11-20}面または{11-20}面から所定方向に所定角度傾斜した面上に、ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体層が形成され、前記サファイア基板の{0001}面および前記窒化物系半導体層の{0001}面からなる端面を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA32
