特許
J-GLOBAL ID：200903097559593159

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

発明者：
二宮 正晴

二宮 正晴 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077120
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 IG能を付与されたエピタキシャルシリコンウェーハの酸素析出核の不均一化形成を抑制し、シリコンウェーハ表面近傍にBMDが形成することなく、比較的短時間で処理できる、IG能に優れた製造方法の提供。【解決手段】 低温処理により潜在核を結晶全体に発生、成長させ、次に中温の熱処理を行って基板表面の潜在核を収縮、溶解させると同時に基板内部にBMDを成長、形成することにより、ウェーハ表層部にBMDを顕在化させずに内部にBMDを顕在化させることができ、結晶の成長方法でのBMD密度をばらつき少なく制御できること、さらに、この基板にエピタキシャル膜を形成すると、表面欠陥が生ぜず且つ基板内部にのみBMDが形成される。
請求項（抜粋）：
CZ法によるシリコンウェーハに対する、450〜600°Cの温度で1時間〜24時間の熱処理工程と、850〜1050°Cの温度で30分〜4時間の熱処理工程と、エピタキシャル成長による成膜工程を含むエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 502 E ,  H01L 21/205
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077DB01 ,  4G077FE12 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045DA67 ,  5F045HA06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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