特許

J-GLOBAL ID：200903020810493735

P/P- エピタキシャルウェーハ及びその製造方法

発明者： 志村 誠一 ,  大澤 永 ,  林田 広一郎
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 松澤 統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114176
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 デバイス工程の初期段階において十分なIG能力が期待できるP/P- エピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 枚葉式エピタキシャル成長炉を用いて製造するP/P- エピタキシャルウェーハとその製造方法であって、P/P- エピタキシャルウェーハは、酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるプレアニール工程と、プレアニールによって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを経て製造される。このウェーハは2×104 個/cm2以上のBMD密度を有する。

請求項（抜粋）：

枚葉式エピタキシャル成長炉を用いて製造するP/P- エピタキシャルウェーハであって、酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるプレアニール工程と、プレアニールによって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、エピタキシャル成長工程とを経て製作され、2×104 個/cm2 以上のBMD密度を有することを特徴とするP/P- エピタキシャルウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/324 N

Fターム (5件)：

5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052EA15 ,  5F052HA03 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体シリコンエピタキシャルウェーハ及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-220829   出願人：住友シチックス株式会社
• 特開平3-166733
  
• シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-229136   出願人：東芝セラミックス株式会社, 徳山セラミックス株式会社