半導体装置とその製造方法、及び半導体装置の評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-187053
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013082
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】チャネルに応力が印加されるMOSトランジスタの特性のばらつきを防ぐことができる半導体装置とその製造方法を提供すること、及び、MOSトランジスタのチャネルにおけるキャリア分布を直接測定することができる半導体装置の評価方法を提供すること。【解決手段】シリコン(半導体)基板10と、シリコン基板10の上に順に形成されたゲート絶縁膜13及びゲート電極14cと、ゲート電極14cの横のシリコン基板10のリセス(穴)10a、10bに形成されたソース/ドレイン材料層18a、18bと、を有し、リセス10a、10bのゲート電極14c寄りの側面10c、10dが、シリコン基板10の少なくとも一つの結晶面で構成されることを特徴とする半導体装置による。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に順に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極と、前記ゲート電極の横の前記半導体基板の穴に形成されたソース/ドレイン材料層と、を有し、前記穴の前記ゲート電極寄りの側面が、前記半導体基板の少なくとも一つの結晶面で構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 301S , H01L29/78 616L , H01L29/78 616V , H01L29/78 616T

Fターム (98件)：

5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF07 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH27 , 5F140BH35 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭58-35938
特開平4-180633
半導体基板の製造方法及びそれを用いた液晶画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-213549 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (3件)

特開昭60-193379
特開昭63-153863
特開昭58-035938

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