特許

J-GLOBAL ID：200903097574521130

積層体の製造方法および回収方法

発明者： 吉冨 孝 ,  小島 一範 ,  中村 勤 ,  石渡 豊明 ,  佐脇 透
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 三原 秀子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-291145
公開番号（公開出願番号）：特開2005-059333
出願日： 2003年08月11日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】生産性高く、簡便である積層体の製造方法、および回収方法を提供する。【解決手段】被処理物層A、有機物保護層B、および耐熱性有機物層Cをこの順に積層してなる積層体のA層の露出面に処理を行ってA’層とした後、A’層、B層、およびC層とからなる積層体を水に浸漬させてB層とC層の界面に水を浸透させた後、0°C以下に急速に冷却して界面に浸透した水を凝固せしめることによりB層とC層との界面を剥離させ、A’層とB層とからなる積層体を得ることを特徴とする、積層体の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

被処理物層A、有機物保護層B、および耐熱性有機物層Cをこの順に積層してなる積層体のA層の露出面に処理を行ってA’層とした後、A’層、B層、およびC層とからなる積層体を水に浸漬させてB層とC層の界面に水を浸透させた後、0°C以下に冷却して界面に浸透した水を凝固せしめることによりB層とC層との界面を剥離させ、A’層とB層とからなる積層体を得ることを特徴とする、積層体の製造方法。

IPC (2件)：

B32B7/04 ,  B32B27/34

FI (2件)：

B32B7/04 ,  B32B27/34

Fターム (29件)：

4F100AA01D ,  4F100AB11A ,  4F100AB11D ,  4F100AH00B ,  4F100AH00C ,  4F100AK47B ,  4F100AK47C ,  4F100AK49A ,  4F100AK49C ,  4F100AK49G ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100EJ27 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ91B ,  4F100EJ91C ,  4F100GB41 ,  4F100GB43 ,  4F100JJ03C ,  4F100JK06 ,  4F100JL02 ,  4F100JL11 ,  4F100JL16 ,  4F100JM02A ,  4F100YY00C

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開2001- 77304号公報 1頁
  
• 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-030746   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 接着および剥離法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401077   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 無機基板のプレス加工法およびプレス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401078   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 電子部品の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069684   出願人：三菱瓦斯化学株式会社