特許
J-GLOBAL ID:200903097591956891

半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-080443
公開番号(公開出願番号):特開2007-258425
出願日: 2006年03月23日
公開日(公表日): 2007年10月04日
要約:
【課題】印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をB-ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。【解決手段】ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含む半導体用接着剤であって、当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度75mW/cm2、波長365nmの紫外光を、20秒間照射した後の状態において、(i)25°Cにおける表面タック値が16gf/mm2以下であり、かつ、(ii)室温から10°C/分の昇温速度で昇温したときの70°C以上180°C以下の範囲における最低溶融粘度が0.1Pa・s以上1300Pa・s以下である半導体用接着剤が提供される。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含む半導体用接着剤であって、 当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度75mW/cm2、波長365nmの紫外光を20秒間照射した後の状態において、 (i)25°Cにおける表面タック値が16gf/mm2以下であり、かつ、 (ii)室温から10°C/分の昇温速度で昇温したときの70°C以上180°C以下の範囲における最低溶融粘度が0.1Pa・s以上1300Pa・s以下、 である半導体用接着剤。
IPC (1件):
H01L 21/52
FI (1件):
H01L21/52 E
Fターム (5件):
5F047BA21 ,  5F047BA23 ,  5F047BA24 ,  5F047BA34 ,  5F047BB13
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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