特許
J-GLOBAL ID：200903097608397999

熱電材料及びその製造方法

発明者：
松原 賢東

松原 賢東 について

, 
旭 良司

旭 良司 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (2件)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-154634
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311247
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】不純物の混入に起因する熱電特性の劣化の少ない熱電材料の製造方法、及びこれを用いて得られる熱電材料を提供すること。【解決手段】以下の構成を備えたハーフホイスラー化合物を含む熱電材料。(1)前記ハーフホイスラー化合物は、AgAsMg型結晶構造を有する。(2)前記ハーフホイスラー化合物は、原子当たりの価電子数が6である。(3)前記ハーフホイスラー化合物は、前記AgAsMg型結晶構造の3つのサイトの内、少なくとも2つのサイトには、それぞれ、価電子数の異なる2種以上の原子を含む。(4)前記ハーフホイスラー化合物中のO濃度([O])及びSi濃度([Si])は、次の(a)式を満たす。 2.5≦3.305-5.10[O]-0.540[Si] ・・・(a)【選択図】図4
請求項（抜粋）：
以下の構成を備えたハーフホイスラー化合物を含む熱電材料。 (1) 前記ハーフホイスラー化合物は、AgAsMg型結晶構造を有する。 (2) 前記ハーフホイスラー化合物は、原子当たりの価電子数が6である。 (3) 前記ハーフホイスラー化合物は、前記AgAsMg型結晶構造の3つのサイトの内、少なくとも2つのサイトには、それぞれ、価電子数の異なる2種以上の原子を含む。 (4) 前記ハーフホイスラー化合物中のO濃度([O])及びSi濃度([Si])は、次の(a)式を満たす。 2.5≦3.305-5.10[O]-0.540[Si] ・・・(a)
IPC (5件)：
H01L 35/20 ,  H01L 35/34 ,  C22C 30/00 ,  C22C 1/04 ,  B22F 9/08
FI (5件)：
H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C30/00 ,  C22C1/04 E ,  B22F9/08 A
Fターム (24件)：
4K017AA04 ,  4K017BA01 ,  4K017BA02 ,  4K017BA03 ,  4K017BA05 ,  4K017BA06 ,  4K017BA07 ,  4K017BA08 ,  4K017DA01 ,  4K017EC02 ,  4K017EK01 ,  4K017FA08 ,  4K018AA02 ,  4K018AA03 ,  4K018AA06 ,  4K018AA10 ,  4K018AA13 ,  4K018AA24 ,  4K018AA40 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018EA21 ,  4K018FA08 ,  4K018KA32
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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