特許
J-GLOBAL ID：200903097612341400
非晶質シリコン太陽電池
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093262
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298015
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】p/i層界面付近の欠陥準位を減少させ、もって短絡電流及び形状因子を改善しうることを課題とする。【解決手段】pin接合を有する非晶質シリコン太陽電池において、pin接合はp層(33)上にバッファ層(34 ,35) 、i層(36)及びn層(37)を順次成膜してなり、前記p層(33)にi層(36)よりも光学的禁制帯幅の大きなアモルファスシリコンカーバイトを用い、かつ前記バッファ層(34 ,35) の組成がp層とi層の中間的なCH4 比を有するとともに、i層側界面のみCH4 が徐々に小さくなることを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。
請求項（抜粋）：
pin接合を有する非晶質シリコン太陽電池において、pin接合はp層上にバッファ層、i層及びn層を順次成膜してなり、前記p層にi層よりも光学的禁制帯幅の大きなアモルファスシリコンカーバイトを用い、かつ前記バッファ層の組成がp層とi層の中間的なCH4 比を有するとともに、i層側界面のみCH4 が徐々に小さくなることを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。
引用特許：
前のページに戻る
