特許

J-GLOBAL ID：200903097621961038

光非線形材料

発明者： 天野 道之 ,  戒能 俊邦 ,  佐々木 重邦 ,  安藤 慎治 ,  松浦 徹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142601
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 大きな光非線形効果を有し、耐熱性に優れ、低光損失の高分子材料を提供する。【構成】 光非線形材料が下記一般式(化1)の高分子化合物に結合している光非線形材料。【化1】R1 及びR2 はベンゼン環を1個以上含有し、少なくとも一方にフッ素が含まれている。結合させる光非線形材料の例には、末端にある電子吸引基と電子供与基を、π電子共役系の環状化合物と基X=Y(X、YはCH、N又はN→O)とで連結したものである。【効果】 2次又は3次光非線形効果を利用するものに有用である。

請求項（抜粋）：

光非線形材料が下記一般式(化1)で表される高分子化合物に結合していることを特徴とする光非線形材料。【化1】式中R1 は下記式(化2):【化2】で表される基のうちの少なくとも1つの基、R2 は下記式(化3):【化3】で表される基のうちの少なくとも1つの基であり、ここで、式中Rf1 〜Rf12はフッ素、含フッ素アルキル基、アルキル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基又は水素、あるいはそれらの誘導体を表し、Rf1 ′〜Rf3 ′は含フッ素アルキレン基又はアルキレン基を表す。X、Yは下記式(化4):【化4】で表される基のうちの少なくとも1つの基であり、ここで式中Rfn は含フッ素アルキレン基、アルキレン基、あるいはそれらの誘導体を表す。pは正の整数を表す。ただし、一般式(化1)において、R1 及びR2 の少なくとも一方にフッ素が含まれている。

IPC (2件)：

G02F 1/35 504 ,  C08G 73/10 NTF