特許

J-GLOBAL ID：200903097630604680

半導体装置

発明者： 中島 泰 ,  加柴 良裕
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-186182
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032218
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体装置は、半導体素子上の表面電極と外部電極とのワイヤボンディングにおいて、ワイヤと表面電極との接合部が、電極中央部の高温となる領域にあったため、剥離破断しやすいという問題点があった。【解決手段】 ワイヤ7で半導体素子1上の表面電極6の周縁部と外部電極5とを接合することにより、ワイヤ7と表面電極6との接合部は、表面電極6の高温となる領域を避けて配置され、剥離破断に至るまでの寿命が長い半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

表面に電極が形成された半導体素子、前記半導体素子の外部に設けられた外部電極、前記表面電極と前記外部電極とを接合する複数本のワイヤを備え、各ワイヤは前記表面電極の周縁部と前記外部電極とを接合することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/36 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-093362
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-156816   出願人：株式会社東芝