窒化アルミニウム単結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-221168
公開番号（公開出願番号）：特開2008-044809
出願日： 2006年08月14日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】温度勾配方式の液相LPE法により、基板として使用可能な、高品質のバルクAlN単結晶を安価に安定して製造する。【解決手段】Alを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてAlN溶液を形成し、AlN単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガス(例、アルゴンガス)とし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にAlN単結晶を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Alを含む融液原料を加熱融解させて融液とし、この融液中に窒素を溶解させてAlN溶液を形成し、AlN単結晶成長用の種結晶基板を融液表層と接触させて種結晶基板上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の製造方法において、融液原料の加熱融解中、融液原料の中で最もモル比の高い元素の融解が終了するまでは雰囲気を不活性ガスとし、その後に雰囲気を窒素含有ガスに切り換えて、種結晶基板上にAlN単結晶を成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C01B 21/072 , C30B 19/04 , H01L 21/208 , H01L 33/00

FI (5件)：

C30B29/38 C , C01B21/072 A , C30B19/04 , H01L21/208 D , H01L33/00 A

Fターム (25件)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA01 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077EH07 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA38 , 5F041CA34 , 5F041CA67 , 5F053AA03 , 5F053AA33 , 5F053AA48 , 5F053BB12 , 5F053BB24 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053HH04

引用特許：

出願人引用 (3件)

AlN単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-315653 出願人：住友金属工業株式会社
窒化アルミニウム単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-360168 出願人：住友金属鉱山株式会社
化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-041711 出願人：松下電器産業株式会社, 森勇介

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