光半導体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-187803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045906
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】高い光出力の半導体レーザを1回の結晶成長で製造することを可能とする構造及びその製造方法を提供する。【構成】表面が(100)面の半導体の基板10上に、[011]方向に対し5度以上の角度をなす方向に、互いに平行な2本のストライプ状のマスク11を、間隔を空けて形成する。この間隔部に、MOVPEの結晶成長により、活性層13を含む半導体のメサストライプ14を形成し、引き続き一連の結晶成長により、メサストライプを覆って、平坦な上面部を有するクラッド層15及びキャップ層16を形成する。これにより活性層を含むメサストライプが、左右から絶縁膜17に挟まれ、かつ、メサストライプ及びメサストライプ脇の絶縁膜が、上下から半導体層及び基板10で挟まれ、活性層が半導体層で埋め込めれる構造が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の活性層を含む第1半導体層のメサストライプが、両側から絶縁体に挟まれ、かつ、前記メサストライプ及び前記メサストライプ脇の前記絶縁膜の上部に、前記メサストライプを埋め込む第2の半導体層が形成された構造を、少なくとも有することを特徴とする光半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (7件)

光半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216027 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-117384
特開平3-227086

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