光導電性薄膜および光起電力素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317538
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】光劣化がなく、光導電特性に優れた光導電性薄膜、および温度特性および長期安定性に優れた光起電力素子を提供する。【解決手段】基板上に形成され、水素と微結晶シリコンとを含有する光導電性薄膜であり、一定光電流法(CPM)で測定したアーバックエネルギー(Eu)が60meV以下である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、少なくともシリコンからなる結晶粒と水素を有する光導電性薄膜において、前記結晶粒の形状が柱状であり、一定光電流法(CPM)で測定したアーバックエネルギー(Eu)が60meV以下であることを特徴とする光導電性薄膜。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 31/04 B , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (7件)

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