特許

J-GLOBAL ID：200903097651202743

バンプ付き配線基板及び半導体パッケ-ジの製造法

発明者： 山崎 聡夫 ,  中村 英博 ,  市村 茂樹
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214930
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067823
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 配線上に高さ精度のよいバンプを形成したバンプ付き配線板の製造法を安価に提供する。また、高さ精度がよい等の利点により、フリップチップ実装に適したバンプ付き配線板の製造法及び基板とバンプ間の接続信頼性の高い半導体パッケージの製造法を提供する。【解決手段】 絶縁基板に第一の金属層を形成する。この金属層は、後に平面配線を形成するものである。第二の金属層による帯状パターンを形成する。帯状パターンは後工程で形成される平面配線上及びそれに隣接する平面配線の間隙部を含む領域に突起状バンプの幅で、アディティブ法(めっき)により形成する。次に配線形成を行う。このとき、前記の帯状パターンのうち、平面配線の間隙部をエッチング除去する。結果として、第二の金属による突起状バンプは、帯状パターンと平面配線が交差した部分に形成される。

請求項（抜粋）：

平面配線上に突起状バンプが形成されたバンプ付配線が複数形成された配線板の製造法であって、1A.絶縁基板の第一の金属層の上に、後工程で第一の金属層をエッチングして形成される平面配線上部と隣接する平面配線の間隙部を含む領域に、突起状バンプの幅で一連の帯状パタ-ンを形成する工程、1B.前記帯状パタ-ンの平面配線の間隙部の領域をエッチング除去すると共に、第一の金属層による平面配線を含む所定の配線パタ-ンを第一の金属層をエッチングして形成する工程を備えることを特徴とする配線板の製造法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-147848
  
• プリント回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-000123   出願人：住友電気工業株式会社