半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342686
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246608
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】多結晶半導体TFTによって構成される、従来のアナログバッファ回路では、出力のバラツキが大きい。そのため、補正回路をつけるなどの対策がなされてきたが、回路が複雑になることや、駆動の操作が複雑になるといった問題点があった。【解決手段】そこで、本発明では、アナログバッファ回路を構成するTFTのゲート長及びゲート幅を大きくした。また、マルチゲート型構造にした。加えて、チャネル部分の配置を工夫した。これにより、補正回路を用いないで、バラツキの少ないアナログバッファ回路を得、バラツキの少ない半導体装置を提供することができる。

請求項（抜粋）：

差動回路、カレントミラー回路のうち少なくとも1つを有するアナログバッファを備えた半導体装置であって、前記差動回路または前記カレントミラー回路は、チャネル領域が多結晶半導体層によって形成された複数の薄膜トランジスタによって構成され、前記複数の薄膜トランジスタは、ゲート長が7μm以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09G 3/20 623 , G09G 3/36 , H01L 21/20 , H01L 21/28 , H01L 27/08 331

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G09G 3/20 623 B , G09G 3/36 , H01L 21/20 , H01L 21/28 F , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 614

Fターム (135件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA28 , 2H092MA30 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG20 , 5C006BB16 , 5C006BC11 , 5C006BC20 , 5C006BF25 , 5C006BF34 , 5C006BF49 , 5C006FA51 , 5C006GA03 , 5C080AA06 , 5C080AA10 , 5C080BB05 , 5C080DD22 , 5C080DD27 , 5C080DD30 , 5C080EE28 , 5C080FF11 , 5C080JJ02 , 5C080JJ03 , 5C080JJ04 , 5C080JJ05 , 5C080JJ06 , 5C080KK43 , 5F048AC04 , 5F052AA02 , 5F052AA12 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-358952 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路および設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-107572 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた半導体表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-048578 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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