特許
J-GLOBAL ID：200903097661008546
酸化亜鉛系積層チップバリスタおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
堀田 信太郎
, 渡邉 勇
, 小杉 良二
, 廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276839
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098300
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】良好な絶縁性とメッキ液に対する十分な耐性が得られ、且つ良好な生産性で製造が可能な酸化亜鉛系積層チップバリスタを提供する。【解決手段】酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体チップ11の表面に、ホウケイ酸ビスマス(ZnO-Bi2O3-SiO2-B2O3-Sb2O3)系ガラスで保護膜13を形成した。保護膜は660°Cから740°Cの間の温度で焼成する事で結晶化させている。これにより、保護膜形成後の工程であるメッキ工程にて、ガラス絶縁膜13が浸食される事が無く、良好な絶縁性を有する酸化亜鉛系積層チップバリスタ10を良好な生産性で得る事ができる。保護膜13は10μm以下の厚みで形成する。これにより、焼結体チップ11に積層した内部電極12a,12b,12c,12d,12eと外部電極14a,14bの導通が阻害される事無く安定したバリスタ10の電気的特性を維持する事が出来る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部電極を複数層積層した、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体チップの表面に、
ホウケイ酸ビスマス(ZnO-Bi2O3-SiO2-B2O3-Sb2O3)系ガラスの保護膜を備え、且つ、前記保護膜は結晶化され、
前記焼結体チップの両端部に前記内部電極と導通する外部電極を備えていることを特徴とする酸化亜鉛系積層チップバリスタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5E034CA08
, 5E034CB01
, 5E034CC02
, 5E034DA07
, 5E034DB04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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