特許
J-GLOBAL ID:200903097668338894
熱電素子を備えた微細加工素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
古谷 聡
, 溝部 孝彦
, 西山 清春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-018551
公開番号(公開出願番号):特開2004-235639
出願日: 2004年01月27日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】 微細加工素子の熱伝導性を制御すること。【解決手段】 開口部が形成された支持構造(140,240,340,440,540)と、該開口部の中に配置された素子基板(130,230,330,430,530)とを有する微細加工素子(100,300,400,500)。この微細加工素子は、素子基板と支持構造とを熱結合する熱分離構造(120,220,320,420,520)を更に有する。熱分離構造は、該熱分離構造内に、又は該熱分離構造上に、少なくとも1つのn形ドープ領域(152,252,352,452,452')および少なくとも1つのp形ドープ領域(154,254,354,454,454')を含み、それらが互いに離して配置される。さらに、熱分離構造は前記少なくとも1つのn形ドープ領域と前記少なくとも1つのp形ドープ領域とを接続することにより集積形熱電素子を形成するための電気配線をさらに含む。【選択図】 図1a
請求項(抜粋):
開口部が形成された支持構造(140,240,340,440,540)と、
前記開口部の中に配置された素子基板(130,230,330,430,530)と、
前記素子基板と前記支持構造とを熱結合する熱分離構造(120,220,320,420,520)と、
からなり、前記熱分離構造が、
前記熱分離構造内に、又は前記熱分離構造上に配置された少なくとも1つのn形ドープ領域(152,252,352,452,452')と、
前記熱分離構造内に、又は前記熱分離構造上に、前記少なくとも1つのn形ドープ領域から離して配置された少なくとも1つのp形ドープ領域と、
前記少なくとも1つのn形ドープ領域と前記少なくとも1つのp形ドープ領域とを接続することにより集積形熱電素子を形成する電気配線(156,256,356,456)と、
からなる、微細加工素子(100,300,400,500)。
IPC (3件):
H01L35/32
, H01L35/14
, H01L35/34
FI (3件):
H01L35/32 A
, H01L35/14
, H01L35/34
引用特許: