特許
J-GLOBAL ID:200903097694916464
薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-312400
公開番号(公開出願番号):特開2001-135836
出願日: 1999年11月02日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 この発明は太陽電池モジュールの形成された薄膜を能率よくスクライブできるようにしたスクライブ方法を提供することにある。【解決手段】 基板に形成された薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライブ方法において、上記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走査させる第1の工程と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距離だけ相対的に走査させる第2の工程と、上記レーザ光を上記第1の工程におけるレーザ光の走査方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第3の工程とを連続して行うことを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板に形成された薄膜をレーザ光によって所定の幅寸法の帯状にスクライブする薄膜のスクライブ方法において、上記レーザ光を上記基板の所定方向に沿って相対的に走査させる第1の工程と、上記レーザ光が上記薄膜の有効領域から外れた位置で上記レーザ光を上記所定方向と交差する方向へ所定距離だけ相対的に走査させる第2の工程と、上記レーザ光を上記第1の工程におけるレーザ光の走査方向と平行かつ逆方向に相対的に走査させる第3の工程とを連続して行うことを特徴とする薄膜のスクライブ方法。
IPC (4件):
H01L 31/04
, B23K 26/00
, B23K 26/08
, B23K101:40
FI (4件):
B23K 26/00 B
, B23K 26/08 A
, B23K101:40
, H01L 31/04 S
Fターム (8件):
4E068AD00
, 4E068CE04
, 4E068DA09
, 5F051BA11
, 5F051EA03
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA06
引用特許:
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