ホトダイオード内蔵集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107821
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293847
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】ホトダイオード本体に隣接してダミーのホトダイオードを配置することにより、多重反射による光の侵入を防止する。【解決手段】ホトダイオード26に隣接して、ホトダイオード26と同等の構造から成るダミーホトダイオード35を配置する。半導体チップ上部のホトダイオード26を除く部分をアルミ配線層による遮光膜36で被覆する。ダミーのホトダイオード35にはカソードコンタクト領域27aとカソード電極28aを形成し、カソード電極28aを遮光膜36と層間接続する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの一部に形成したホトダイオード部と、前記半導体チップの他の部分に形成した回路素子と、前記ホトダイオードに隣接して、前記回路素子との間に形成したダミーのホトダイオードと、前記回路素子と前記ダミーのホトダイオード部の上部を被覆し、前記ホトダイオード部の光入射部分を開口する遮光膜とを具備することを特徴とするホトダイオード内蔵集積回路。

FI (2件)：

H01L 27/14 Z , H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-152079
特開昭58-107671
特開平3-044071

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