特許

J-GLOBAL ID：200903097726058406

トランジスタおよびそれを用いた高周波増幅器

発明者： 立岡 一樹 ,  牧岡 敏史 ,  金澤 邦彦
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251584
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 新規な構造のトランジスタと、それを用いて広い周波数帯域で利得および歪みまたは雑音特性の優れた高周波増幅器を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された活性層領域上に、複数のソース領域とドレイン領域が形成され、ソース領域上にソース電極が、ドレイン領域にドレイン電極がそれぞれ共通接続されて形成され、一部の活性層領域に第1のゲート電極が、それ以外の活性層領域に第2のゲート電極が形成され、それらのゲート電極が半導体基板上に形成されたキャパシタによって接続されたトランジスタに於いて、ゲート電極がそれぞれ別の制御できる電圧源回路に接続され、一方の活性層領域の動作をゲート電圧によって動作または不動作させることによって、高帯域の増幅動作をさせる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された活性層領域上に、複数のソース領域とドレイン領域が形成され、前記ソース領域上にソース電極が、ドレイン領域上にドレイン電極がそれぞれ共通接続されて形成され、前記活性層領域を少なくとも2つ以上の領域に分割してそれぞれ分割された前記活性層領域上にそれぞれ独立したゲート電極が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H03F 3/189

FI (5件)：

H01L 29/78 301 X ,  H03F 3/189 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体トランジスタチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-343027   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-173761
  
• 高出力電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-095898   出願人：富士通株式会社