特許

J-GLOBAL ID：200903097727067395

結晶格子欠陥を有する半導体ディスク及びその製造法

発明者： ギュンター オーバーマイアー ,  ラインホルト ヴァーリッヒ ,  テレジア バウアー ,  アルフレート ブーフナー
出願人/特許権者： ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-155229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028372
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】内部格子欠陥を有する半導体ディスク、(半導体基板)の性能改善及びその製造法を提供する。【解決手段】表側面1、裏側面2、上層3、下層4、上層3の下側に存在する内側層5、下層4の上側に存在する内側層6、層5と6との間の中央領域7及び結晶格子欠陥の不均一な分布を有する半導体基板において、欠陥の濃度が、中央領域7に最大値(max1)及び下層4に最大値(max2)を有すること。

請求項（抜粋）：

表側面1,裏側面2、上層3、下層4、上層3の下側に存在する内側層5、下層4の上側に存在する内側層6、層5と6との間の中央領域7及び結晶格子欠陥の不均一な分布を有する半導体ディスクにおいて、欠陥の濃度が中央領域7に最大値(max1)及び下層4に最大値(max2)を有することを特徴とする、半導体ディスク。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 A

引用特許：

審査官引用 (13件)

• シリコンウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-308610   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開平1-242500
  
• 特開平4-163920
  
• 特開昭57-124445
  
• 特開昭63-164440
  
• 特開昭62-250634
  
• 特表平6-504878
  
• 特開平1-242500
  
• 特開平4-163920
  
• 特開昭57-124445
  
• 特開昭63-164440
  
• 特開昭62-250634
  
• 特表平6-504878