シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308610
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144696
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 BMD密集層をデバイス活性層から遠ざけることによって、BMDの悪影響がデバイス特性に及び難いシリコンウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】 CZシリコンウエーハに水素雰囲気で1000°C以上の熱処理工程を行い、しかる後に降温工程の一部又は全部をアルゴンガス雰囲気で行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。前記方法で製造され、表層に無欠陥層(DZ層)を有するシリコンウエーハにおいて、酸素析出物(BMD)が集中しているBMD高密度領域が、無欠陥層(DZ層)の内側境界より所定距離だけ内側に位置することを特徴とするシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

CZシリコンウエーハに水素雰囲気で1000°C以上の熱処理工程を行い、しかる後に降温工程の一部又は全部をアルゴンガス雰囲気で行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302251 出願人：株式会社東芝
半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-138536 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
シリコンウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-159209 出願人：東芝セラミックス株式会社

審査官引用 (3件)

半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-302251 出願人：株式会社東芝
半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-138536 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
シリコンウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-159209 出願人：東芝セラミックス株式会社

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