特許

J-GLOBAL ID：200903097751046390

半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 隆之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286233
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 下地に大きな垂直段差を有する場合、柱状ポリシリコン残りが発生しないような3層目ポリシリコンのエッチング条件の抽出が課題となっていた。【解決手段】 段差を有する半導体基板全面に上記段差を覆うようにポリシリコン膜を形成した後、所定の形状のマスクパターンを形成し、該マスクパターンをエッチングマスクとして用い、臭素化合物ガスの流量を塩素ガス又は塩素化合物ガスの流量より多くした臭素化合物ガスと塩素ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、ポリシリコン側壁に反応生成物を堆積させながら、ポリシリコン膜の平坦部分をエッチングする。次に、同じマスクパターンを用い、臭素化合物ガスの流量を塩素ガス又は塩素化合物ガスの流量より少なくし臭素化合物ガスと塩素ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、段差側部のポリシリコンをエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

段差を有する半導体基板全面に上記段差を覆うようにポリシリコン膜を形成し、上記段差上にポリシリコンパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記全面にポリシリコン膜を形成した後、所定の形状のマスクパターンを形成し、該マスクパターンをエッチングマスクとして用い、臭素化合物ガスの流量を塩素ガス又は塩素化合物ガスの流量より多くした上記臭素化合物ガスと上記塩素ガス又は塩素化合物ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、上記ポリシリコン側壁に反応生成物を堆積させながら、上記ポリシリコン膜の平坦部分をエッチングする工程と、上記マスクパターンをエッチングマスクとして用い、臭素化合物ガスの流量を塩素ガス又は塩素化合物ガスの流量より少なくし上記臭素化合物ガスと上記塩素ガス又は塩素化合物ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、上記段差側部のポリシリコンをエッチング除去する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

Fターム (14件)：

5F004AA02 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン層のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080836   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-290430
  
• 特開平4-290430