シリコン層のエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080836
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275799
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】狭く深い溝中のポリシリコン層をエッチングする場合、柱状残さが発生する。【解決手段】メモリセル部の高段差部からなる溝中のポリシリコン層8Aと周辺回路部のポリシリコン層8Bを同時にエッチングする工程において、第1のエッチングステップとしてCl2 /HBrのガス系を用い、周辺部のポリシリコンが除去されるまでエッチングを行う。次にCl2 /HB/O2 のガス系に切り替えて溝中に堆積したデポジション膜を除去し、最終ステップとして対酸化膜選択比が大きいHBr/O2 のガス系で、溝中に残ったポリシリコン層8Aをエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化膜を介して形成されたポリシリコン層と、酸化膜上に形成された溝中に埋め込まれたポリシリコン層とを同時にエッチングする方法において、第1ステップとしてCl2 /HBr系のガスを用いるドライエッチング法により前記溝中以外のポリシリコン層をエッチングし、第2ステップとしてCl2 /HBr/O2 系のガスを用いるドライエッチング法により第1ステップのエッチングにより前記溝中に堆積したカーボン系のデポジション膜をエッチングし、第3ステップとしてHBr/O2 系のガスを用いるドライエッチング法により前記溝中の残りのポリシリコン層をエッチングすることを特徴とするシリコン層のエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-222297 出願人：日本電気株式会社
垂直側壁を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-088274 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
反応性イオン・エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-091102 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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