特許

J-GLOBAL ID：200903097762091550

太陽電池の製造方法およびその方法により製造された太陽電池

発明者： 高倉 知征
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404349
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166994
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 効果的な焼成方法により、シリコン基板の少数キャリアの拡散長を大きく向上させ、低コストで、高品質の太陽電池を提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池の製造方法は、p型シリコン基板と、p型シリコン基板における受光面と反対側の面にアルミニウムの焼成により形成された裏面電界層を有する太陽電池の製造方法であって、裏面電界層を形成する熱処理工程における最高温度からの降温速度が55°C/s以上であることを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、かかる方法により製造されたことを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

p型シリコン基板と、該p型シリコン基板における受光面と反対側の面にアルミニウムの焼成により形成された裏面電界層を有する太陽電池の製造方法であって、前記裏面電界層を形成する熱処理工程における最高温度からの降温速度が55°C/s以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  H01L21/322

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/322 S

Fターム (13件)：

5F051AA02 ,  5F051BA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051EA15 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051KA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池及び太陽電池モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-370085   出願人：三菱電機株式会社