特許
J-GLOBAL ID：200903097764894838

窒化物系半導体レーザ

発明者：
木戸口 勲

木戸口 勲 について

, 
北岡 康夫

北岡 康夫 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284330
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128661
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】青色から緑色の領域に発振波長を有する半導体レーザであって、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止することで低しきい値電流の半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層104が(11-22)面上に形成され、(11-22)面と垂直な(1-100)面を共振器端面とすることで、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止すると同時にレーザ共振器を容易に作製することができ、低しきい値電流の半導体レーザを歩留まり良く作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の(11-22)面上に形成された、活性層と前記活性層を挟む2つのクラッド層とを有する積層体と、 を有することを特徴とする窒化物系半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (14件)：
5F173AF92 ,  5F173AF96 ,  5F173AG05 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH47 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP17 ,  5F173AP33 ,  5F173AP78 ,  5F173AP79 ,  5F173AR24
引用特許：
出願人引用 (2件)

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