特許
J-GLOBAL ID:200903097794604443

成膜装置及び成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 東田 潔 ,  山下 雅昭 ,  打揚 洋次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-243507
公開番号(公開出願番号):特開2004-087585
出願日: 2002年08月23日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】パーティクルが生ずることなくMOCVD法を実施することができる成膜装置及び成膜方法の提供。【解決手段】成膜室7と、混合ガス生成用混合室3と、原料ガス用気化室1と、成膜室上面に設けられたガスヘッド8とからなる成膜装置において、気化室と混合室との間及び混合室内の下流側に、パーティクルトラップを配設し、混合室内下流側に配設されたパーティクルトラップ6a、6bの一次側と二次側との間に、バルブを備えたバイパスライン10を設ける。この装置を用いて成膜する際に、原料ガス、反応ガス、キャリアガスのガス類をバイパスラインのバルブを開いた状態で流した後、バルブを閉じ又は可変バルブの場合には徐々に閉じながら成膜を開始する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
内部に基板が載置されるステージを設けた真空チャンバである成膜室と、該成膜室に接続された、原料ガスと反応ガスとの混合ガス生成用混合室と、該原料ガス用気化室とを備え、該ステージに対向して該成膜室上面に混合ガスを成膜室内に導入するためのガスヘッドが設けられた成膜装置において、該気化室と該混合室との間及び該混合室内の下流側のそれぞれに、温度コントロール可能なパーティクルトラップが配設され、該混合室内下流側に配設されたパーティクルトラップの一次側と二次側との間に、バルブを備えたバイパスラインが設けられていることを特徴とする成膜装置。
IPC (3件):
H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285
FI (3件):
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J ,  H01L21/285 C
Fターム (24件):
4K030AA11 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA11 ,  4K030KA25 ,  4K030KA41 ,  4K030KA49 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭59-154119
  • 成膜装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-313751   出願人:株式会社荏原製作所
  • 特許第6074487号

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