特許

J-GLOBAL ID：200903097797575401

ド-ピング装置およびド-ピング処理方法

発明者： 山崎 舜平 ,  浜谷 敏次 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052862
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288682
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ(イオン)を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを被ドーピング材にドーピングする装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。【解決手段】 イオン流の断面形状を線状とし、かつ、被ドーピング材を前記イオン流断面の長尺方向と概略垂直な方向に移動させることにより、ドーピングをおこなうことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生するためのプラズマ空間と、前記プラズマ空間からイオン流を引き出すための引き出し電極と、前記イオン流に磁場を印加する装置と、スリットと、を有し、前記スリットを通過したイオン流の断面は線状であることを特徴とするドーピング装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 602 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-134411   出願人：日新電機株式会社