特許
J-GLOBAL ID：200903097801536785
電子源形成用基板、電子源及び画像形成装置並びにそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215789
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 電子放出素子の電子放出特性の経時的変化が低減される電子源形成用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電子放出素子が配置される電子源形成用基板であって、Naを含有する基板1と、該基板上に形成された、SiO2を主成分とする第1の層6と電子伝導性酸化物を含有する第2の層7とを有する。
請求項（抜粋）：
電子放出素子が配置される電子源形成用基板であって、Naを含有する基板と、該基板上に形成された、SiO2を主成分とする第1の層と電子伝導性酸化物を含有する第2の層とを有することを特徴とする電子源形成用基板。
IPC (5件)：
H01J 1/316
, C23C 16/40
, H01J 9/02
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 1/30 E
, C23C 16/40
, H01J 9/02 E
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
