特許

J-GLOBAL ID：200903097838161099

半導体素子

発明者： 中川 清和 ,  西田 彰男 ,  大嶋 卓 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236860
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085317
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は4族半導体のSiGeを用いた量子細線構造を有する発光素子を提供することにある。【構成】 n型Si基板(11)上に太さが直径で100Å以下の細線状の100Åのn型Si0.5Ge0.5層(13)、50ÅのSi0.7Ge0.3層(14)、50ÅのSi0.3Ge0.7層(15)、50ÅのSi0.7Ge0.3層(14)、50ÅのSi0.3Ge0.7層(15)、・・・、100Åのp型Si0.5Ge0.5層(16)という多層構造を形成し、細線構造とヘテロ構造により量子箱を形成し、4族半導体を用いて発光素子を可能にする。【効果】 従来発光素子を形成することが不可能であった4族半導体のSiGeを用いて発光素子を可能とする素子構造を提供する。

請求項（抜粋）：

SiとGeからなる発光素子構造において、太さの直径が100Å以下の量子細線からなっており、上記量子細線がSi1-YGeY層/Si1-ZGeZ層(層厚100Å以下)/Si1-YGeY層/Si1-ZGeZ層(層厚100Å以下)/・・・・(ただしx,y,zとも0以上1以下で、yはzよりも小さい)という多層構造を有し、上記Si1-ZGeZ層(層厚100Å以下)が発光領域であることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18