特許
J-GLOBAL ID:200903097858397102

配向性セラミックス焼結体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-144049
公開番号(公開出願番号):特開2002-193672
出願日: 2001年05月15日
公開日(公表日): 2002年07月10日
要約:
【要約】【課題】 板状の種結晶粒成長させることなく、平均結晶粒径が20μm以下で、粒子幅が粒径の0.4倍以下の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が20μm以上で粒子幅が粒径の0.5倍以上の配向性焼結体の製造をも可能とする。【解決手段】 等軸晶ではない結晶構造をもつ非強磁性体粉末をスラリーに分散し、そのスラリーを磁場中で成形して、成形体を焼結する。
請求項(抜粋):
等軸晶ではない結晶構造をもつ非強磁性体粉末を溶媒に分散し、そのスラリーを磁場中で固化成形した後に焼結することを特徴とする配向性セラミックス焼結体の製造方法。
IPC (5件):
C04B 35/622 ,  B28B 1/00 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/48
FI (6件):
B28B 1/00 C ,  B28B 1/00 H ,  C04B 35/46 Z ,  C04B 35/48 Z ,  C04B 35/00 E ,  C04B 35/10 Z
Fターム (42件):
4G030AA08 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030AA41 ,  4G030AA47 ,  4G030AA51 ,  4G030BA12 ,  4G030BA15 ,  4G030BA19 ,  4G030BA20 ,  4G030BA22 ,  4G030BA33 ,  4G030CA02 ,  4G030CA04 ,  4G030GA16 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G031AA04 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA26 ,  4G031AA29 ,  4G031AA31 ,  4G031AA33 ,  4G031AA37 ,  4G031AA38 ,  4G031BA15 ,  4G031BA19 ,  4G031BA20 ,  4G031CA02 ,  4G031CA04 ,  4G031GA04 ,  4G031GA06 ,  4G031GA08 ,  4G031GA09
引用特許:
審査官引用 (5件)
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