特許

J-GLOBAL ID：200903097863535114

金属、酸化膜及び炭化珪素半導体からなる積層構造体

発明者： 吉川 正人 ,  梨山 勇
出願人/特許権者： 日本原子力研究所
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233760
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶表面を熱酸化して作製したMOS構造を持つ素子の熱酸化膜内部に発生する正及び負電荷を低減させてMOS構造のC-V特性及びI-V特性の横方向シフトを低減させることに関するものである。【構成】 金属、熱酸化膜及び炭化珪素半導体から構成される積層構造体において、その熱酸化膜を5nm以下の熱酸化膜で形成したことからなる積層構造体であり、又、その熱酸化膜の上に、更に熱酸化以外の方法で酸化膜を作製することにより2層以上の酸化膜を堆積させた積層構造体であり、更に又、その熱酸化以外の方法で作製した酸化膜が窒化膜である積層構造体である。

請求項（抜粋）：

金属、酸化膜及び炭化珪素(SiC)半導体からなるMOS構造を有する積層構造体において、この酸化膜が5nm以下の熱酸化膜で形成されたことを特徴とする積層構造体。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/16

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-243133
  
• 特開昭63-262871
  
• 半導体記憶素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251915   出願人：ローム株式会社