特許

J-GLOBAL ID：200903097886390652

炭素膜が形成された部材

発明者： 伊藤 健二
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290775
出願日： 1988年03月02日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】磁気ヘッドや磁気ディスク等の表面が摺動する電気用部材の保護材として、被形成面に対して損傷を与えずに高硬度の炭素被膜を密着性良く、また整合性良く成膜する方法及び部材。【解決手段】樹脂、ガラス、磁性体、金属、セラミックまたは半導体からなる被形成面上に炭素膜が形成された部材であって、前記炭素膜はsp3混成軌道をもつ炭素を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を有し、ダイヤモンド類似の硬さを有する。成膜時には、前記被形成面に対してスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスを付与する。

請求項（抜粋）：

有機樹脂、ガラス、磁性体、金属、セラミックまたは半導体からなる被形成面上に炭素膜が形成された部材であって、 前記炭素膜は、sp3混成軌道をもつ炭素を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を有し、前記被形成面にスパッタによる損傷を与えることなく形成されたことを特徴とする炭素膜が形成された部材。

IPC (4件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72

FI (4件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 Z ,  G11B 5/187 K ,  G11B 5/72

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭63-303071
  
• 特開昭63-014159
  
• 特開昭62-157602
  
• 特開昭62-083471
  
• 特開昭60-184681
  

審査官引用 (1件)

• 保護膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-372509   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所